Rambus發布HBM4E記憶體控制器IP以滿足下一代AI頻寬需求

编辑者: Dmitry TestDrozd222

晶片與矽智財技術公司Rambus於2026年3月4日宣布推出HBM4E記憶體控制器IP,旨在為下一代人工智慧加速器、圖形處理單元(GPU)以及高效能運算(HPC)系統中對記憶體頻寬的嚴苛要求,提供先進的效能與可靠性功能。Rambus將此控制器定位為業界首創,以配合HBM4處理器於2026年進入大量生產時,滿足業界不斷攀升的記憶體頻寬需求。

此控制器技術規格強勁,單通道操作速度可達每秒16 Giga bits (Gbps),理論上能為單一HBM4E元件提供高達每秒4.1 Tera bytes (TB) 的記憶體頻寬。當此解決方案在AI加速器配置中與八個連接的HBM4E堆疊搭配使用時,總記憶體頻寬可超過每秒32 TB。此等容量被視為大規模模型訓練、推論及數據密集型HPC工作負載的關鍵要素。HBM4E本質上是一種高頻寬記憶體堆疊,利用穿矽導孔(TSV)垂直連接多層DRAM晶片,實現高頻寬與低延遲,已成為現代AI晶片的基礎技術。

根據JEDEC的時程規劃,官方HBM4標準已於2025年4月公佈,業界路線圖則將HBM4E的品質驗證目標設定在2026年下半年,以配合2027年的加速器產品發布。業界分析指出,HBM的發展正處於「記憶體超級週期」,需求增長速度超過摩爾定律,例如NVIDIA的Rubin R100預計將搭載288GB的HBM4,頻寬介於13至15 TB/s之間。

Rambus此次推出的IP方案,基於其超過百項HBM設計成功案例,旨在將此控制器IP推向未來的AI系統單晶片(SoC)設計領域。該IP整合了先進的可靠性特性,旨在協助客戶在晶片複雜度增加的環境中,實現首次投片即成功的目標。此外,此控制器展現高度的架構彈性,可與第三方PHY解決方案配對,在2.5D或3D封裝中建構完整的HBM4E記憶體子系統,適用於雲端、企業及邊緣部署場景。

業界對此進展表示肯定。三星電子企業副總裁暨晶圓廠IP開發團隊負責人Ben Rhew表示,HBM4E代表了HBM技術的一個重要里程碑,為先進的AI和HPC工作負載提供了前所未有的效能。IDC的記憶體半導體項目副總裁Soo Kyoum Kim強調,隨著AI處理器需求的持續攀升,HBM4E IP的問市將是推動尖端AI硬體設計的關鍵基石。Rambus的矽IP部門資深副總裁兼總經理Simon Blake-Wilson指出,鑑於AI對頻寬的無厭需求,記憶體生態系統必須持續積極推進效能進展。目前,Rambus的HBM4E記憶體控制器IP已開放授權,並已對設計客戶啟動早期存取計畫。

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來源

  • SiliconANGLE

  • SiliconANGLE

  • Tom's Hardware

  • TrendForce

  • Wikipedia

  • Rambus Inc.

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