উন্নত ইলেকট্রনিক্স ও কোয়ান্টাম প্রযুক্তির জন্য গবেষকদের নতুন CSiGeSn অ্যালয় উদ্ভাবন
সম্পাদনা করেছেন: firstname lastname
জার্মানিতে বিজ্ঞানীরা কার্বন, সিলিকন, জার্মেনিয়াম এবং টিন (CSiGeSn) এর একটি স্থিতিশীল সংকর ধাতু (অ্যালয়) তৈরি করেছেন, যা ইলেকট্রনিক্স এবং কোয়ান্টাম প্রযুক্তির ভবিষ্যৎকে নতুনভাবে সংজ্ঞায়িত করতে পারে। এই নতুন উপাদানটি প্রচলিত চিপ উৎপাদন প্রক্রিয়ার সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ, যা উন্নত ইলেকট্রনিক্স, ফোটোনিক্স এবং কোয়ান্টাম প্রযুক্তির জন্য নতুন সম্ভাবনার দ্বার উন্মোচন করেছে।
ফোর্সাংসেন্ট্রুম জুলিখ (Forschungszentrum Jülich) এবং লাইবনিজ ইনস্টিটিউট ফর ইনোভেটিভ মাইক্রোইলেকট্রনিক্স (IHP) এর বিজ্ঞানীরা যৌথভাবে এই গবেষণাটি সম্পন্ন করেছেন। বহু বছর ধরে, এই চারটি গ্রুপ IV মৌলকে একটি একক, স্থিতিশীল স্ফটিক কাঠামোতে একত্রিত করা প্রায় অসম্ভব বলে মনে করা হত, কারণ এদের পারমাণবিক আকার এবং বন্ধন আচরণে বিশাল পার্থক্য রয়েছে। ডঃ ড্যান বুকা, ফোর্সাংসেন্ট্রুম জুলিখের অন্যতম প্রধান বিজ্ঞানী, এই উন্নয়নকে একটি দীর্ঘ প্রতীক্ষিত মাইলফলক হিসেবে বর্ণনা করেছেন। তিনি বলেন, "এই চারটি উপাদানকে একত্রিত করে, আমরা যা অনেকে অসম্ভব মনে করত, তা অর্জন করেছি – চূড়ান্ত গ্রুপ IV সেমিকন্ডাক্টর। এটি লেজার এবং ফোটোডিটেক্টর থেকে শুরু করে কোয়ান্টাম সার্কিট এবং থার্মোইলেকট্রিক শক্তি ডিভাইস পর্যন্ত নতুন অ্যাপ্লিকেশনগুলির একটি পরিসীমা উন্মুক্ত করে।"
এই নতুন CSiGeSn অ্যালয়টি উন্নত ইলেকট্রনিক্স, ফোটোনিক্স এবং কোয়ান্টাম প্রযুক্তির জন্য অত্যন্ত সম্ভাবনাময়। এর বিশেষত্ব হলো, এটি প্রচলিত CMOS প্রক্রিয়ার সাথে সম্পূর্ণ সামঞ্জস্যপূর্ণ, যা চিপ শিল্পে এর দ্রুত গ্রহণ এবং বাণিজ্যিকীকরণের পথ সুগম করবে। AIXTRON AG-এর কেমিক্যাল ভেপার ডিপোজিশন (CVD) সিস্টেম ব্যবহার করে এই উপাদানটি তৈরি করা হয়েছে। এই অ্যালয়ের বৈশিষ্ট্যগুলি সূক্ষ্মভাবে নিয়ন্ত্রণ করা যায় এবং এটি সরাসরি চিপে যুক্ত করা যেতে পারে।
এই গবেষণাটি সেমিকন্ডাক্টর প্রযুক্তির ক্ষেত্রে একটি বড় অগ্রগতি। এটি উন্নত ইলেকট্রনিক এবং ফোটোনিক ডিভাইস তৈরিতে আরও কার্যকারিতা এবং বহুমুখিতা আনতে পারে। এই নতুন উপাদানের বৈশিষ্ট্যগুলি, যেমন এর টিউনযোগ্য অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্য এবং সিলিকনের সাথে সম্পূর্ণ সামঞ্জস্যতা, এটিকে ফোটোনিক, থার্মোইলেকট্রিক এবং কোয়ান্টাম কম্পোনেন্টগুলির জন্য একটি শক্তিশালী ভিত্তি তৈরি করেছে।
এই আবিষ্কারটি কেবল পরীক্ষাগারেই সীমাবদ্ধ নয়, বরং এটি শিল্পে বৈপ্লবিক পরিবর্তন আনতে পারে। ঐতিহাসিকভাবে, সিলিকন চিপ তৈরির মূল ভিত্তি হলেও, ফোটোনিক্স বা কোয়ান্টাম উপাদানের মতো উন্নত কম্পোনেন্টগুলিকে একীভূত করার ক্ষেত্রে এর সীমাবদ্ধতা রয়েছে। CSiGeSn অ্যালয়টি সিলিকনের চেয়েও উন্নত ইলেকট্রনিক এবং অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্য প্রদান করে, যা চিপ ডিজাইনে নতুন মাত্রা যোগ করেছে। এই উপাদানটি ২০২৫ সালের জুলাই মাসে প্রকাশিত 'অ্যাডভান্সড মেটেরিয়ালস' (Advanced Materials) জার্নালে প্রকাশিত হয়েছে, যা এর বৈজ্ঞানিক গুরুত্বের প্রমাণ বহন করে। এই গবেষণাটি সেমিকন্ডাক্টর প্রযুক্তির ভবিষ্যৎকে আরও উজ্জ্বল করে তুলবে বলে আশা করা হচ্ছে।
30 দৃশ্য
উৎসসমূহ
Forschungszentrum Jülich
Advanced Materials
Forschungszentrum Jülich
এই বিষয়ে আরও খবর পড়ুন:
আপনি কি কোনো ত্রুটি বা অসঠিকতা খুঁজে পেয়েছেন?আমরা আপনার মন্তব্য যত তাড়াতাড়ি সম্ভব বিবেচনা করব।